技术编号:7183719
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种反熔丝单元结构及制备工艺,尤其是一种基于SOI基底的反熔丝单元结构及制备工艺。 背景技术反熔丝技术当今已有很广泛的应用,主要用于基于反熔丝的PROM、FPGA、PAL等电 路中,是一次编程存储器的最有效解决方法。反熔丝单元在未编程状态下具有高阻特征,典 型值大于109Q ,编程过后具有低阻特征,电阻值一般小于200Q ,更深层次的意义是基于反 熔丝的器件表现出非常好的抗辐射能力,使得在军事和太空领域得到了很好的应用。 反熔丝单元的基本结构是...
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