技术编号:7184078
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种高边NLDMOS结构,属于高压功率器件领域,可应用于马达驱动、电 源管理、平板显示器驱动等芯片的电路中。 背景技术LDM0S (Lateral Diffused Medal-Oxide-Semiconductor)是一种横向双扩散的MOS结构 。它利用硼磷两次扩散差形成沟道,可以利用再分布温度和时间精确控制沟道长度,因而其 沟道长度可以不受光刻最小尺寸的限制。LDMOS在沟道和漏极之间有一个较长的低浓度的漂 移区,起提高器件关态击穿电压的作用...
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