技术编号:7184879
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种形成埋层电极板(Buried Plate)的方法,特别有关于一种以半球形晶硅粒(Hemispherical silicon Grain;HSG)借由驱入回火(Drive InAnneal)在动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory;DRAM)的沟槽电容器(trench capacitor)中。背景技术 目前在半导体随机存取存储器(semiconductor Integrated circuits)的制程中,...
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