技术编号:7184884
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明有关一种形成具有含钛黏着层的方法,特别是有关一种可以减少硼离子扩散至含钛黏着层的方法。(2)背景技术最近几年,集成电路已发展至次0.18微米制程,由于尺寸的缩小,使得接触插塞宽度也必须缩小,因而使得高宽比例(aspect ratio)也变大。一般在形成接触插塞时,为了增加插塞与其他材质间的黏接会使用一含钛黏着层。传统的是以离子化金属等离子体法(Ionized MetalPlasma,IMP)为主。但是由于尺寸的缩小,接触开口(contact open...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
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