技术编号:7185416
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。半导体装置本实用新型涉及电子电路领域,特别涉及一种半导体装置。背景技术集成电路中经常会用到阱电阻,阱电阻通常具有比N+扩散区域电阻或者P+扩散区域电阻更加大的电阻值。请参考图1,其示出了现有技术中的一种阱电阻100的结构示意图。该阱电阻100包括形成于P型衬底110上方的具有第一深度h的N阱电阻区域120,和形成于该阱电阻区 域120内的相互保持距离的两个接触区域130,该接触区域130通常包括N+扩散区域132和与所述N+扩散区域欧姆接触的金属触点134...
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