半导体器件及其制造方法技术资料下载

技术编号:7185800

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本发明涉及。具体地说,本发明涉及包括含铜的金属布线的。发明的背景技术 近些年,为满足半导体器件高速运行的需求,低电阻材料(如铜)被用作布线材料。作为形成铜布线结构的大马士革工艺,单大马士革方法和双大马士革方法已为人们所知。在单大马士革方法中,只用大马士革工艺形成布线。在双大马士革方法中,除了形成连接孔以外,还用铜形成嵌入的布线槽,以形成连接插头和布线。传统地,在单大马士革方法中,连接插头由难熔的金属(如钨)形成。但是,在双大马士革方法中,连接插头除了由布线...
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