技术编号:7186138
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型属于激光器制造领域,涉及一种激光器,尤其是一种大 功率半导体激光器。 背景技术半导体激光器又称激光二极管(LD)。进入八十年代,人们吸收了半 导体物理发展的最新成果,采用了量子阱(QW)和应变量子阱(SL-QW)等 新颖性结构,引进了折射率调制Bragg发射器以及增强调制Bmgg发射 器最新技术,同时还发展了 MBE、 MOCVD及CBE等晶体生长技术新工 艺,使得新的外延生长工艺能够精确地控制晶体生长,达到原子层厚度 的精度,生长出优质量子阱以...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。