技术编号:7187670
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种熔丝及其形成方法,特别是涉及一种,适用于半导体装置。本发明主要是先在熔丝上方形成氧化层-停止层-氧化层的复合层,借助停止层的作用来保留适当厚度的氧化层,达到防止形成熔丝窗时的过度蚀刻而露出熔丝或损伤熔丝,并避免后续如需要修补时熔丝窗可能无法被打穿的机会。背景技术 目前半导体装置在进入极大型集成电路制程后,必须缩短线间距以增加积集度,如此,在制造过程中产生的瑕疵或缺陷便有增加的趋势,产出良率自然也随之下降,因此,集成电路(IC)如存储器装置中的...
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