技术编号：7187951
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体存储器，更特定地说，涉及无负载型CMOS静态存储器(以下，称为「SRAM(静态随机存取存储器)」及无负载型联想存储器(CAM可内容寻址的存储器)等的半导体存储器的存储单元的结构)。背景技术图31是示出了用4个晶体管形成的无负载型SRAM存储单元的现有的布局结构的图。在图19中示出其等效电路图。关于该类型的SRAM，例如已在国际学会杂志IEDM′98 pp643-646“用0.18μm逻辑工艺制成的1.9μm2无负载型CMOS 4晶体管SRA...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。