技术编号：7188502
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件，特别涉及具有铜布线的半导体器件。背景技术 为了实现LSI电路(大规模集成电路)的高速操作和低功耗，使器件单元制作精细，并且减小驱动电压和布线电阻。为了减小布线的电阻，使用比通常采用的铝布线更低电阻率的铜布线。铜层的精细构图是困难的，从而通常采用镶嵌结构。对于精细器件单元和低功率，需要以低电压实现晶体管的高速操作。为此目的，使栅绝缘膜制作为相当薄。在作为层间绝缘膜的氧化硅膜中，铜的扩散速度是非常快的。当铜在层间绝缘膜中扩散时，晶体管性能...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。