技术编号：7190464
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体制造技术，特别涉及一种。背景技术 电容储存结与晶体管组件的接触是半导体存储元件整合介电或高介电perovskite材料的重要关键。通常电极材料(如Pt、Ru、Ir或导电金属氧化物)会搭配适当的阻障层以阻挡高介电材料或硅组件的扩散，并避免组件之间相互影响。此外，高介电电容器制造过程整合主要的困难在于所有的储存电极材料(例如Pt、Ru、Ir及导电金属氧化物)都需要一特定的阻障金属层来作为与复晶硅栓塞的界面。通常会使用二元或三元的耐火金属氮化...
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