技术编号:7191879
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种太阳能电池,尤其涉及一种晶体硅(单晶硅或多晶硅)太阳 能电池。背景技术目前,通常的晶体硅太阳能电池10,如图1所示,其典型结构包括正面栅状金属 电极12、减反射及钝化层13、n+型重掺杂层14、p型轻掺杂晶体硅衬底16、背面电极17,其 中,正面栅状金属电极12必须通过烧结工艺来穿透减反射及钝化层13,并与n+型重掺杂层 14形成欧姆接触;n+型重掺杂层14是在p型轻掺杂晶体硅衬底16的一个表面上通过扩散、 离子注入或外延等方法形成的,并...
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