技术编号:7191939
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种在低阻P型GaN基半导体材料上制备欧姆接触电极的方法,适用于GaN基半导体材料的发光器件,光电器件和电子器件,尤其适用于GaN基发光二极管(LED)的制备。背景技术 目前,GaN基半导体发光二极管的研究已取得许多成果并正逐步转入产业化生产。但是,不论是研究还是产业化生产都面临一些难题。对于LED的制作,需要有良好的欧姆接触。欧姆接触定义为相对于半导体的体电阻或扩展电阻而言其接触电阻可以忽略的金属半导体接触。其工艺应保证如下要求a、接触电阻尽可...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。