技术编号：7193555
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及电力电子学的领域。本发明涉及权利要求1前序部分的一种半导体模块以及权利要求7前序部分的一种半导体模块的制造方法。良好的导热性和不良的导电性在今天已可组合在某些材料中，所以例如用氮化铝(AlN)制造具有良好电绝缘性的相当薄而导体性好的绝缘元件不存在任何困难。从理论上讲，1.5-2毫米的厚度时可绝缘20千伏。边缘效应，特别是金属层的边缘和棱角引起的边缘效应对半导体模块的耐压强度产生不利的影响，特别是超过1.2千伏的大功率半导体模块尤其如此。金属层的边...
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