技术编号:7193818
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及到具有高可靠沟槽隔离结构的半导体器件及其制造工艺。背景技术 浅沟槽隔离(SGI)结构目前可用来形成电隔离即诸如半导体衬底上的晶体管之类的相邻元件之间的隔离。如图1A-1D所示,SGI结构通常包含制作在硅半导体衬底31上的浅沟槽和埋置在沟槽中的氧化膜35之类,且由于其工艺尺度精度高于现行硅的局部氧化(LOCOS)结构而适合于要求工艺尺度精度为0.25微米或以下的器件。然而,如图1C所示,SGI结构在氧化步骤中有时会在沟槽的上边沿处氧化形成的氧化膜3...
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