技术编号:7193823
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关于一种发光元件,特别是通过至少两种多层缓冲层,如BxGa1-xP化合物,其中0.02≤x≤1;及InyGa1-yN化合物,其中0≤y≤0.059,来形成本发明一种具有高度晶格匹配(latticematch)的各磊晶层的发光元件。背景技术 一般而言,半导体发光元件主要包括发光二极管(light emitting diode)与雷射二极管(laser diode)等两种类型发光元件。其所发出的光波长可涵盖红外光、可见光及紫外光。主要原理是由化学元素...
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