技术编号:7194269
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种功率MOS器件,尤其是一种超高元胞密度深沟槽功率MOS器件,属于半导体器件的。 背景技术沟槽功率MOS器件具有集成度高、导通电阻低、开关速度快、开关损耗小的特点,广泛应用于各类电源管理及开关转换。随着工业的发展,全球变暖导致气候环境越来越恶劣,各国开始越来越重视节能减碳和可持续发展,因此对于功率MOS器件的功耗及其转换效率要求越来越高,在应用频率不高的情况下,功耗主要由导通损耗决定,导通损耗主要受制于特征导通电阻大小的影响;其中,特征导通...
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