技术编号:7194460
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种利用金属诱导横向结晶(以下称作“MILC”)的薄膜晶体管及其制造方法,并尤其涉及一种多栅TFT及其制造方法,通过去除沟道区中的MILC表面而防止缺陷,并通过不增大面积地使多栅金属化而减少漏电流。背景技术 用作TFT的半导体层的多晶硅膜是通过在衬底上沉积非晶硅膜之后对沉积的非晶硅膜结晶而形成的。将非晶硅膜结晶成多晶硅膜的方法包括固相结晶(SPC)、准分子激光器退火(ELA)、金属诱导横向结晶(MILC)等。SPC工艺的问题在于高结晶温度和长处理...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。