技术编号：7194465
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种实现高频化合物半导体肖特基二极管的电化学半导体工艺，尤其是一种采用阳极氧化三氧化二铝(Al2O3)多孔绝缘薄膜作为肖特基二极管的掩膜，并用电化学阳极氧化腐蚀和镀金方法制作的高频化合物半导体肖特基二极管的工艺；适用于检波器，混频器和变调器等高频电路用肖特基二极管的制作。背景技术 肖特基二极管被广泛地应用在检波器，混频器和变调器等高频电路中，是带域超高速通信领域的关键器件之一。理论研究表明要实现带域肖特基二极管的话，肖特基二极管要满足以下的几个条...
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