技术编号:7194472
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于纳电子学和纳电子器件领域,具体为利用调制的复合一维纳米材料制备单电子器件,并提高工作温度到室温或更高的方法。背景技术 纳电子学器件的研究是当今纳米科学技术最为重要的领域,而单电子器件由于其能耗小,无散热等优点而成为纳电子学器件的重要发展方向(K.Likharev,Proc.IEEE,80,60(1999).)。目前单电子器件研究的关键在于如何提高其工作温度。单电子器件的工作温度可以通过其“库仑岛”的充电能EC=e2/2C来估算,要求EC&...
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