技术编号:7196226
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种晶体管,尤其涉及一种绝缘栅双极型晶体管。背景技术半导体功率器件正在日新月异地向前发展着。近年来,继晶闸管、双向晶闸管、可关断晶闸管、巨型晶体管等功率器件之后,又出现一类新的成员绝缘栅双极晶体管(IGBT)及MOS控制晶闸管(MCT)。这类新型的功率器件具有较为容易的电压控制、很强的电流处理能力和良好的高频工作特征。随着这类器件的断态电压耐量不断提高、通态电流容量的增大,在范围广泛的应用领域中,必将逐步替代早期的功率器件而成为主宰力量。[0...
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