技术编号：7196619
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。背景技术1.发明领域本发明涉及包括具有晶体结构的半导体膜的半导体装置，并特别涉及包括生长在绝缘表面上的结晶半导体膜和诸如尤其是薄膜晶体管和/或双极晶体管的场效应晶体管的半导体装置。此外，本发明涉及半导体装置制造系统，用于用激光晶化半导体膜并用于在离子注入以后激活半导体膜。2.相关技术说明已知一种技术，通过激光处理晶化衬底，例如，玻璃上的非晶半导体膜。激光处理可以是用来重结晶半导体衬底或半导体膜上被破坏的层或非晶层的技术，可以是用来晶化绝缘表面上非晶半导体膜...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。