技术编号：7196626
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路以及制造半导体器件的工艺。具体地说，本发明提供了一种方法及系统来监控半导体制造时植入硅离子的精确度。除此之外，并可应用于其它更广泛的用途上。举例而言，本发明可应用于不同种类的器件上，比如动态随机存取内存(DRAM)、静态随机存取内存(SRAM)、，专用集成电路器件(ASIC)、微处理器、微控制器、闪存及其它器件。所以在此提供了一种改良技术，针对上述半导体制程的改善是不可或缺的贡献。具体而言，此发明提供了一种方法来精确的监控硅离子植入的剂量...
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