技术编号:7196905
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体存储器,更具体地说,本发明涉及,这种半导体器件具有与电容器相连的导电插塞。背景技术 在半导体存储器中,目前已进行了多种研究来消除传统动态随机存取存储器(DRAM)中的刷新限制且通过在电容器中使用铁电材料来达到较大的电容量。铁电随机存取存储器(下文中称为FeRAM)是一种可在关闭状态下储存信息的非易失性存储器件,其运行速度可比得上传统DRAM的运行速度。通常采用具有钙钛矿结构或含铋层的钙钛矿结构的铁电材料,例如(Bi,La)4Ti3O12(下...
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