技术编号:7196906
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种形成半导体器件中的晶体管的方法以及,特别是,公开了一种用于形成金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)或金属-绝缘体-半导体场效应晶体管(MISFET)的改进方法,其含有一具有通道长度小于100nm的可应用于超大规模集成(ULSI)半导体器件的超浅超陡逆分布(ultra-shallow super-steep-retrograde)外延通道。背景技术 当电场被施加于源/漏区且电压施加在栅极上时,MOSFET或MISFET半导体器件中...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。