技术编号:7197862
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及半导体集成电路制造,特别涉及湿法腐蚀设备。 背景技术从半导体制造业的初始,湿法腐蚀就与晶圆制造联系在一起。虽然目前湿法腐蚀 已大部分被干法刻蚀所取代,但湿法腐蚀在漂去氮化硅(氧化硅)、去除残留物、表层剥离 以及大尺寸图形腐蚀应用方面仍然起着重要的作用。与干法刻蚀相比,湿法腐蚀的好处在 于对下层材料具有高的选择比,对器件不会带来等离子体损伤,并且设备简单。由于湿法腐蚀的高选择比特性,湿法化学剥离有时用于去除包括光刻胶和掩蔽层 等在内的表面层材料...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。