技术编号:7198019
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及化学机械抛光设备上用的抛光台温度控制装置。背景技术CMP (Chemical Mechanical Planarization)的加工过程,是对晶圆表面进行平坦化的过程,要对AL、 Cu、 W、 STI氧化层及Low-k等材料进行抛光加工。由于抛光机理是通过化学作用后,对抛除材料形成络合物,后对络合物进行机械作用去除。所以化学作用是抛光过程中的重要作用。目前在抛光过程中采用的抛光液是分别加入了纳米级磨料的酸性或碱性的化学液体。在化学反应过程中...
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