技术编号：7200623
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型属于电子器件领域，特别涉及一种内存芯片。具体是指一种具有高记忆容量及讯号传递速度快的内存芯片堆栈构造。如附图说明图1所示，为习知的一种内存芯片堆栈构造，它包括有一基板10、一下层内存芯片12及一上层内存芯片14基板10中央部位形成有一镂空槽16；下层内存芯片12系设置于基板10上，其上复数个焊垫18由镂空槽16露出，藉由复数条导线20电连接至基板10上，使下层内存芯片12的讯号传递至基板10；上层内存芯片14系背对背地设置于下层内存芯片12上，其...
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