技术编号：7202281
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型属于半导体生产装置领域，具体涉及一种晶片氧化工艺中的低氧控制 系统。背景技术在半导体生产中，经常需要经过热处理工序。经热处理后，晶片近表面层形成一个 没有缺陷的区域保护层，半导体制造工艺中，晶片热处理的目标是按厚度要求生长无缺陷、 均勻的薄膜。所谓薄膜，是一种在衬底上生长的薄固体物质，这层膜可以是导体、绝缘物质 或者是半导体材料。薄膜可以是二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)多晶硅以及金属等。SiO2是具有熔点温度1732°C的本征(纯)玻...
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