技术编号:7203961
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。专利说明 一、本实用新型涉及一种高压P型MOS管。二背景技术高压CMOS是一种较理想的高压器件,它具有开关特性好、功耗小等优点,因此它适用于高频、低功耗产品。这种结构能满足等离子平板显示选址驱动芯片的要求,目前HV-CMOS的单管结构主要有横向双扩散MOS、偏置栅结构以及它们的派生结构。在工艺实现,国外主要采用外延片来制备等离子平板显示选址驱动芯片,这种工艺成本较高,而且在国内难以批生产,且无法与体硅标准低压CMOS工艺兼容。高压P型MOS管的栅有时需要...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。