技术编号:7204842
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及。 背景技术已知有使用多晶、微晶或非结晶的太阳能电池。在一般的太阳能电池的制作工艺 中,在玻璃基板上形成氧化锡(SnO2)等的透明导电膜后,通过化学气相沉积法(CVD法)等 形成作为光电层的多晶、微晶或非结晶。然后,形成作为背面电极的电极。在电极形成中, 使用通过真空蒸镀法、溅射法将铝(Al)、银(Ag)、钛(Ti)等导电性物质进行制膜的方法等。然而,在形成这样的电极层时,会将金属供给到作为形成面的光电层的与形成面 相反的一侧的玻璃基板的背侧,从...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。