技术编号：7205011
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种包括相变材料层的多层结构，具体地涉及一种包括相变材料层的 存储单元。本发明还涉及一种制造包括相变材料层的多层结构的方法。 背景技术在非易失存储器领域，尺寸超过45nm节点的闪速存储器已经成为实际问题。面对 这种挑战的技术是铁磁、磁性和相变存储器，后者有希望代替闪存，并且表现出了可以允许 代替诸如DRAM之类的其他类型存储器的特性。相变存储器是作为电子的重要步 骤的统一存储器的一种可能解决方案。0ΤΡ( “一次可编程”)和ΜΤΡ( “多次可编程...
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