晶片堆的清洗的制作方法技术资料下载

技术编号:7205014

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本发明涉及太阳能电池制造工艺,并且具体涉及从硅锭中切割出的晶片的生产。背景技术在太阳能电池工业中,一个目标是能够生产和处理薄的晶片,因为这会产生材 料消耗和制造成本的降低。因而,太阳能电池晶片的厚度处于ΙΟΟμιη和300μιη之间。通常通过将硅锭切割成薄片来制造晶片。切割前,在硅锭的一个表面沉积一粘 性层,以在切割过程中将晶片保持在合适的位置。切割/切片后,获得晶片堆,其中各 个晶片在表面上具有大量的切割流体(浆料)。这种流体有助于晶片间的粘附。切割的 ...
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