技术编号：7205100
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种制造双取向IV族半导体衬底的方法。 背景技术常规的(100)取向的硅或绝缘体上硅(SOI)衬底常用在微电子领域。与其他已知 的表面取向硅衬底相比，(100)取向能提供最高的电子迁移率。但是，(100)取向对空穴迁 移率是不利的。事实上，在市场上能买到的硅晶片的表面取向组中，它提供最差的迁移率。 这损害了(100)取向的硅上的PMOS(金属氧化物P型半导体)器件的性能。已经证实，(110)取向的硅衬底能提供最好的空穴迁移率。但是，这种取向对电子...
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