技术编号：7205156
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明总地涉及通过辐射脉冲来处理衬底的方法，及通过该方法获得的衬底， 并且更具体地涉及这种将掺杂物引入到衬底表面层的方法。背景技术可以采用多种技术掺杂半导体衬底。例如，在有包含掺杂物的化合物的参与 下，可通过用飞秒辐射脉冲串辐射硅晶片，使晶体硅掺杂到大约的原子浓度。例如， 在晶片暴露于诸如SF6的硫施主时，用飞秒辐射脉冲串照射该晶片，可使硅晶片掺杂大约原子浓度的硫。获得的掺杂硅能够表现出多个被高度期望的光电性能。例如，其能 够表现出对波长大于约IlOOnm...
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