技术编号:7205198
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及用于半导体器件、集成电路制造前工序中在硅衬底上生成二氧化硅膜的氢氧合成氧化装置。背景技术在半导体器件、集成电路制造前工序中,须在硅衬底上生长二氧化硅膜。二氧化硅一般分三次生长,即所谓的干、湿、干工艺;其为先送氧气,生长出第一层,再用氧气携带纯水生长出第二层,最后又送氧气生长第三层;这种用氧气携带纯水的工艺缺陷有生长出的二氧化硅膜品质不佳、杂质含量高,因水的提纯困难而不能满足目前器件的要求;膜厚均匀性不好,片内、片间、批间的均匀性只能达±5-±...
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