技术编号:7205221
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关于一种离子注入,且特别是有关于一种含碳物种的冷植入技术。 背景技术离子注入(ion implantation)是一种利用受激离子(energized ion)直接轰击 基板而在基板内沉积化学物种(chemical species)的制程。在半导体制造中,离子注入机 (ion implanter)主要用于掺杂制程(doping process),以改变目标材料的传导类型和传 导程度。在集成电路(integrated circuit, IC)基板和...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。