技术编号:7205325
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明的实施例一般来说涉及电子装置,且更具体来说,在某些实施例中涉及鳍 式晶体管。背景技术鳍式场效晶体管(finFET)经常围绕从衬底大体上垂直上升的鳍(例如,高且薄的 半导电部件)构建。通常,栅极通过沿鳍的一个侧保形地向上行进翻越顶部并沿鳍的另一 侧向下行进而跨越所述鳍。在一些实例中,所述栅极经安置倚靠所述鳍的侧且并不延伸翻 越顶部。一般来说,源极及漏极位于栅极的对置侧上,靠近鳍的两端。在操作中,通过选择 性地给栅极通电来控制穿过源极与漏极之间的鳍的电流...
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