技术编号：7205351
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明描述了一种超高密度电容器设计，具体地，利用两个晶片面将该超高密度 电容器集成在半导体衬底上，尤其是Si衬底。背景技术在半导体衬底中尤其是在Si上集成高密度电容器在本领域是公知的。已将这些 高密度电容器主要实现为沟槽式(或孔式)电容器，用于RF电源线去耦合、锁相环滤波的 应用，甚至大量地用于针对DRAM存储器的沟槽式电容器。迄今所获得的电容器的典型电 容密度在25nF/mm2量级，但是期望在不远的将来增加到70nF/mm2，其中，电容器包括电介质 ON...
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