技术编号:7205606
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体器件和用于制造半导体器件的制方法,并且更具体而言,涉及一种包括由碳化硅制成的具有至少一个主表面的晶片的半导体器件以及制造半导体 器件的方法。背景技术近年来,碳化硅(SiC)越来越多地用作形成诸如晶体管和二极管的半导体器件的 材料,以便使击穿电压增加和损耗降低,以及还使得可在高温环境等中使用。碳化硅用作宽 带隙半导体,具有比通常广泛地用作形成半导体器件材料的硅(Si)的带隙更大的带隙。因 而,当采用碳化硅作为形成半导体器件的材料时,在该半...
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