技术编号：7205919
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明的实施例大致上涉及一种基材处理系统及相关的基材制程(诸如蚀刻/沉 积制程)。根据一个方面，本发明涉及一种经改善的硅蚀刻系统。根据另一方面，本发明涉 及一种快速气体交换系统。根据另一方面，本发明提供了一种双重蚀刻/沉积制程。根据 另一方面，本发明涉及在腔室中处理基材时利用包括处理腔室和气体输送系统的系统来提 供快速气体过渡制程。背景技术微电子组件的制造包括许多不同的阶段，每一阶段均包括各种制程。在一个阶段 期间，特定的制程可以包括将等离子体引到基材(例...
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