技术编号:7206103
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及薄膜太阳能电池制造装置。本申请基于2008年6月6日于日本申请的特愿2008-149935号主张优先权,在此 援用其内容。背景技术现在的太阳能电池,单晶Si型和多晶Si型占据大半,人们担心Si的材料不足等。 因此,近年来,制造成本低且材料不足的风险小、形成有薄膜Si层的薄膜太阳能电池的需 求升高。进而,在仅具有a-Si (非晶硅)层的现有型的薄膜太阳能电池的基础上,最近通过 层积a-Si层与μ C-Si (微晶硅)层,从而实现光电转换效率提高的叠...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。