技术编号：7206194
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及场效应晶体管及方法，尤其涉及具有凹陷场板(RFP，Recessed Field Plate)以及相关技术的高可靠功率绝缘栅极场效应晶体管(MOSFET)。背景技术功率MOSFET广泛用来作为许多电子应用当中的切换装置。为了让传导功率损耗 降至最少，所以MOSFET要具有低特定接通电阻，其定义为接通电阻面积乘积(R。n*A)，其中 Ron为MOSFET位于接通状态时的MOSFET电阻，A为MOSFET的面积。沟槽MOSFET提供低特 定接通电阻，尤...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。