技术编号:7206218
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。低温薄膜晶体管工艺、装置特性、和装置稳定性改进发明背景 发明领域本发明的实施方式一般涉及具有稳定的电气性能的薄膜晶体管及这种晶体管的 制造方法。现有技术描述薄膜晶体管(TFT)广泛用于制造许多大小和类型的平板显示器。一般来说,薄膜 晶体管成层形成于基板上。一导电底部栅极层被一介电材料覆盖,以在该导电底部栅极层 和其后形成的顶部栅极层之间,支持维持一个电场。一半导体层通常形成在介电层之上。半 导体层作为电子的供应者,供应电子到晶体管沟道(channel),晶...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。