技术编号：7206286
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种ZnO类半导体元件，该ZnO类半导体元件的层叠结构中包含由 ZnO或MgZnO构成的受主掺杂层。背景技术ZnO类半导体在作为照明、背照灯等光源使用的紫外LED、高速电子器件、表 面声波器件等中的应用备受期待。ZnO类半导体的多功能性、发光电压大小等已受到瞩 目，但关于其作为半导体器件材料的研究却基本未见进展。其最大难点在于，难以对其 进行受主掺杂，无法获得ρ型ZnO。但近年来，正如非专利文献1及非专利文献2中所记载的，随着技术的进步，已 经能...
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