技术编号:7206330
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及增强模式III族氮化物器件。 背景技术包括诸如功率MOSFET和绝缘栅双极性晶体管(IGBT)的器件的大部分功率半 导体器件通常由硅(Si)半导体材料来制造。最近,碳化硅(SiC)功率器件由于其优良的 特性已经被考虑使用。诸如氮化镓(GaN)的III-N半导体器件现在正作为有吸引力的备 选以携载大电流、支持高电压并且提供非常低的导通电阻和快的切换时间。典型的GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)和相关器件处于常开状态,这意味着 它们以零栅电压导通电...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。