技术编号：7206806
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及形成硅太阳能电池的P-型铝背面电极的方法，S卩，涉及形成硅太阳能 电池的方法。发明背景技术常规的具有ρ-型基板的太阳能电池结构具有通常位于电池的正面(光照面)的 负极和位于背面的正极。众所周知，在半导体的p-n结上入射的合适波长的辐射充当产生 电子_空穴对的外部能源。在p-n结处存在电势差，这导致空穴和电子以相反的方向跨过 该结移动，从而产生能够向外部电路输送电力的电流。大部分太阳能电池为金属化的硅片 形式，即，具有导电的金属触点。在硅太阳能电池...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。