技术编号：7206867
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。背景技术本发明一般涉及半导体技术，更具体地涉及用于三维(3D)叠层半导体器件的方 法和结构。仅作为示例，本发明已应用于形成包括两个或更多个沟槽场效应晶体管(FET) 的3D叠层半导体器件。但是应当认识到本发明具有范围宽泛得多的应用性。高压和/或高功率器件在现代电子器件中找到越来越广泛的应用。例如，这些器 件用于诸如便携式消费电子产品、电源管理电路、汽车电子设备、磁盘驱动装置、显示装置、 RF通信电路、以及无线基站电路等应用中。一些功率器件包括屏蔽栅沟槽FE...
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