技术编号:7207276
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及通过对被处理体照射激光从而对被处理体进行退火处理的激光退火直O背景技术近年来,作为半导体装置、液晶显示器的切换元件,在沟道层使用多晶硅膜的薄膜 晶体管(TFT)被广泛使用。在薄膜晶体管的沟道层中使用的多晶硅膜,通常使用被称为所 谓低温多晶硅的工艺来制造。低温多晶硅是在玻璃基板上成膜非晶硅,对该非晶硅膜照射 激光来制造多晶硅膜的工艺。在这样的低温多晶硅中,使用激光退火装置对非晶硅膜进行加热、熔融、再结晶来 制作多晶硅膜,但当在退火的气氛中包含氧时,...
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