技术编号：7207347
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。总体而言，本发明涉及在质子介质中涂覆衬底表面的方法，特别是涂覆阻抗性 硅基衬底的方法，所述硅基衬底具有能够被对抗铜扩散的阻挡层(copper diffusion barrier layer)涂覆的绝缘层。背景技术本发明的应用主要可用于微电子学领域，特别是用于使用铜对通孔(称为硅通孔 或晶圆通孔或贯穿晶圆的互连线)进行金属化，这些通孔是电子芯片(或芯片块)三维 (3D)集成或垂直集成的基础。本发明也可用于电子学的其它领域，在这些领域中，具有通孔 的衬底需要使...
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